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IPD180N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD180N10N3 G的规格信息
IPD180N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:43 A

Rds On-漏源导通电阻:14.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPD180N10N3GBTMA1 IPD18N1N3GXT SP000482438

单位重量:4 g

供应商IPD180N10N3 G
IPD180N10N3 G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD180N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPD180N10N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD180N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD180N10N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPD180N10N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPD180N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司IPD180N10N3 G世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPD180N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
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IPD180N10N3 G及相关型号的PDF资料
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IPD180N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO491.80 Kbytes共9页IPD180N10N3 G的PDF下载地址无
IPD180N10N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 33?A 漏源导通电阻：18mΩ @ 33A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO506.71 Kbytes共9页IPD180N10N3 G的PDF下载地址无
IPD180N10N3 G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		IPD180N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:￥10.1801
10+:￥8.99
25+:￥8.11
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1000+:￥4.371+:￥12.68
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ChipOneStop		IPD180N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:￥10.1801
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD180N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:￥10.1801
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD180N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:￥10.1801
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Mouser 贸泽电子		IPD180N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 31:¥7.8422
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10,000:查看
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPD180N10N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 33?A 漏源导通电阻：18mΩ @ 33A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道1+:￥6.05
200+:￥2.35
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